离子蚀刻机20IBE-C 用于蚀刻 FSD 车载 AI 芯片

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图：

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220.

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