沈阳某研究所采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片制造中厚铝刻蚀.
Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:
真空腔 |
1 set, 主体不锈钢,水冷 |
基片尺寸 |
1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却, |
离子源 |
ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75 |
离子束入射角 |
0 Degree~± 90 Degree |
极限真空 |
≦1x10-4 Pa |
刻蚀性能 |
一致性: ≤±5% across 4” |
该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75
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