Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 用于铁电薄膜研究

某研究所在 PZT 铁电薄膜的电学性能研究中运用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE.

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源KDC 160

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

研究表面采用伯东 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀工艺后, PZT薄膜的铁电性能几乎能恢复到蚀刻前, 如矫顽场值、漏电流、疲劳性能等, 铁电性能会得到更好的改善.有利于提高贴点存储密度, 降低生产成本.

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